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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630
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5 - 9 1.46fr 1.58fr
10 - 24 1.39fr 1.50fr
25 - 34 1.31fr 1.42fr
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Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V - IRL630. Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 74W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 01:25.

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IRL630A

IRL630A

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C)...
IRL630A
Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 69W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS
IRL630A
Transistor canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 69W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS
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