Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.42fr | 1.54fr |
5 - 9 | 1.35fr | 1.46fr |
10 - 24 | 1.28fr | 1.38fr |
25 - 49 | 1.21fr | 1.31fr |
50 - 85 | 1.18fr | 1.28fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.42fr | 1.54fr |
5 - 9 | 1.35fr | 1.46fr |
10 - 24 | 1.28fr | 1.38fr |
25 - 49 | 1.21fr | 1.31fr |
50 - 85 | 1.18fr | 1.28fr |
Transistor canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRLB8743PBF. Transistor canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 14:25.
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