Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 24 | 0.63fr | 0.68fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 99 | 0.58fr | 0.63fr |
100 - 178 | 0.52fr | 0.56fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 24 | 0.63fr | 0.68fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 99 | 0.58fr | 0.63fr |
100 - 178 | 0.52fr | 0.56fr |
Transistor IRLR024N. Transistor. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR024NPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 5V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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