Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.94fr | 1.02fr |
5 - 9 | 0.90fr | 0.97fr |
10 - 21 | 0.85fr | 0.92fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.94fr | 1.02fr |
5 - 9 | 0.90fr | 0.97fr |
10 - 21 | 0.85fr | 0.92fr |
Transistor IRLR2705. Transistor. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 75. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commande par niveau logique, commutation rapide. Spec info: faible résistance R-on 0.040 Ohms. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.
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