Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.10fr | 1.19fr |
5 - 9 | 1.04fr | 1.12fr |
10 - 24 | 0.99fr | 1.07fr |
25 - 49 | 0.93fr | 1.01fr |
50 - 99 | 0.91fr | 0.98fr |
100 - 249 | 0.89fr | 0.96fr |
250 - 823 | 0.77fr | 0.83fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.10fr | 1.19fr |
5 - 9 | 1.04fr | 1.12fr |
10 - 24 | 0.99fr | 1.07fr |
25 - 49 | 0.93fr | 1.01fr |
50 - 99 | 0.91fr | 0.98fr |
100 - 249 | 0.89fr | 0.96fr |
250 - 823 | 0.77fr | 0.83fr |
Transistor IRLR2905. Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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