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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V - IXFK34N80

Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V - IXFK34N80
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2 - 2 19.79fr 21.39fr
3 - 4 18.75fr 20.27fr
5 - 9 17.71fr 19.14fr
10 - 14 17.29fr 18.69fr
15 - 19 16.88fr 18.25fr
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Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V - IXFK34N80. Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 800V. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 560W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 00:25.

Documentation technique

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IXFX34N80
Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation), 800V. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. Boîtier: PLUS247. Boîtier (selon fiche technique): PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation). Tension Vds(max): 800V. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 560W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non
IXFX34N80
Transistor canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation), 800V. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. Boîtier: PLUS247. Boîtier (selon fiche technique): PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation). Tension Vds(max): 800V. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 560W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non
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