Transistor IXFR120N20P

Transistor IXFR120N20P. Transistor. C (in): 9100pF. C (out): 2200pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 480A. Id (T=25°C): 105A. Idss (maxi): 2uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 400W. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.