Transistor IXTA36N30P

Transistor IXTA36N30P. Transistor. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.092 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263AB ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.