Transistor IXTQ88N30P

Quantité	HT	TTC
1 - 1	12.16fr	13.14fr
2 - 2	11.55fr	12.49fr
3 - 4	10.95fr	11.84fr
5 - 9	10.34fr	11.18fr
10 - 14	10.09fr	10.91fr
15 - 19	9.85fr	10.65fr
20 - 36	9.49fr	10.26fr

Quantité	U.P
1 - 1	12.16fr	13.14fr
2 - 2	11.55fr	12.49fr
3 - 4	10.95fr	11.84fr
5 - 9	10.34fr	11.18fr
10 - 14	10.09fr	10.91fr
15 - 19	9.85fr	10.65fr
20 - 36	9.49fr	10.26fr

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Transistor IXTQ88N30P. Transistor. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 600W. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 04:25.

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