Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 7.84fr | 8.48fr |
2 - 2 | 7.44fr | 8.04fr |
3 - 4 | 7.05fr | 7.62fr |
5 - 9 | 6.66fr | 7.20fr |
10 - 19 | 6.50fr | 7.03fr |
20 - 29 | 6.35fr | 6.86fr |
30+ | 6.11fr | 6.60fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 7.84fr | 8.48fr |
2 - 2 | 7.44fr | 8.04fr |
3 - 4 | 7.05fr | 7.62fr |
5 - 9 | 6.66fr | 7.20fr |
10 - 19 | 6.50fr | 7.03fr |
20 - 29 | 6.35fr | 6.86fr |
30+ | 6.11fr | 6.60fr |
Transistor KSC5386TU. Transistor. Résistance BE: 10. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: High Switching 0.1us. Gain hFE maxi: 22. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 4.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Boîtier: TO-3PF (SOT399). Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 00:25.
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