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Transistor PNP, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T

Transistor PNP, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T
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5 - 9 0.62fr 0.67fr
10 - 24 0.59fr 0.64fr
25 - 49 0.55fr 0.59fr
50 - 99 0.54fr 0.58fr
100 - 249 0.53fr 0.57fr
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Transistor PNP, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T. Transistor PNP, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -70V. C (in): -10A. C (out): 90W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 05:25.

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MJE2955T-CDIL

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Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non
MJE2955T-CDIL
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non
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