Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.68fr | 7.22fr |
2 - 2 | 6.35fr | 6.86fr |
3 - 4 | 6.01fr | 6.50fr |
5 - 9 | 5.68fr | 6.14fr |
10 - 19 | 5.55fr | 6.00fr |
20 - 29 | 5.41fr | 5.85fr |
30 - 157 | 5.21fr | 5.63fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.68fr | 7.22fr |
2 - 2 | 6.35fr | 6.86fr |
3 - 4 | 6.01fr | 6.50fr |
5 - 9 | 5.68fr | 6.14fr |
10 - 19 | 5.55fr | 6.00fr |
20 - 29 | 5.41fr | 5.85fr |
30 - 157 | 5.21fr | 5.63fr |
Transistor MJW21195. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Date de production: 2015/04. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21196. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.
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