Transistor MJW21196

Quantité	HT	TTC
1 - 1	6.65fr	7.19fr
2 - 2	6.32fr	6.83fr
3 - 4	5.98fr	6.46fr
5 - 9	5.65fr	6.11fr
10 - 19	5.52fr	5.97fr
20 - 29	5.38fr	5.82fr
30+	5.19fr	5.61fr

Quantité	U.P
1 - 1	6.65fr	7.19fr
2 - 2	6.32fr	6.83fr
3 - 4	5.98fr	6.46fr
5 - 9	5.65fr	6.11fr
10 - 19	5.52fr	5.97fr
20 - 29	5.38fr	5.82fr
30+	5.19fr	5.61fr

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Transistor MJW21196. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21195. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 00:25.

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