Transistor MMBT3906LT1G

Quantité (Lot de 10)	HT	TTC
1 - 1	0.59fr	0.64fr
2 - 2	0.56fr	0.61fr
3 - 4	0.53fr	0.57fr
5 - 9	0.50fr	0.54fr
10 - 24	0.47fr	0.51fr
25 - 49	0.44fr	0.48fr
50 - 472	0.41fr	0.44fr

Quantité (Lot de 10)	U.P
1 - 1	0.59fr	0.64fr
2 - 2	0.56fr	0.61fr
3 - 4	0.53fr	0.57fr
5 - 9	0.50fr	0.54fr
10 - 24	0.47fr	0.51fr
25 - 49	0.44fr	0.48fr
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Lot de 10

Transistor MMBT3906LT1G. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Marquage sur le boîtier: 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

Documentation technique