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Transistor NDB6030L

Transistor NDB6030L
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25 - 49 1.24fr 1.34fr
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Transistor NDB6030L. Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

Documentation technique

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Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 56A. Marquage sur le boîtier: 56N03L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1
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