Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.78fr | 0.84fr |
5 - 9 | 0.74fr | 0.80fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.70fr | 0.76fr |
50 - 99 | 0.69fr | 0.75fr |
100 - 249 | 0.66fr | 0.71fr |
250 - 277 | 0.70fr | 0.76fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.78fr | 0.84fr |
5 - 9 | 0.74fr | 0.80fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.70fr | 0.76fr |
50 - 99 | 0.69fr | 0.75fr |
100 - 249 | 0.66fr | 0.71fr |
250 - 277 | 0.70fr | 0.76fr |
Transistor canal P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - NTD2955-1G. Transistor canal P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. C (in): 500pF. C (out): 150pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: NT2955. Dissipation de puissance maxi: 55W. Résistance passante Rds On: 0.155 Ohms. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 08:25.
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