Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.90fr | 2.05fr |
5 - 9 | 1.81fr | 1.96fr |
10 - 24 | 1.75fr | 1.89fr |
25 - 49 | 1.71fr | 1.85fr |
50 - 99 | 1.67fr | 1.81fr |
100 - 146 | 1.56fr | 1.69fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.90fr | 2.05fr |
5 - 9 | 1.81fr | 1.96fr |
10 - 24 | 1.75fr | 1.89fr |
25 - 49 | 1.71fr | 1.85fr |
50 - 99 | 1.67fr | 1.81fr |
100 - 146 | 1.56fr | 1.69fr |
Transistor canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM. Transistor canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 50V. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 125us. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 6A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D8P05. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 20A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Harris. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 14:25.
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