Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.38fr | 2.57fr |
5 - 9 | 2.27fr | 2.45fr |
10 - 24 | 2.19fr | 2.37fr |
25 - 49 | 2.15fr | 2.32fr |
50 - 99 | 2.10fr | 2.27fr |
100 - 158 | 1.87fr | 2.02fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.38fr | 2.57fr |
5 - 9 | 2.27fr | 2.45fr |
10 - 24 | 2.19fr | 2.37fr |
25 - 49 | 2.15fr | 2.32fr |
50 - 99 | 2.10fr | 2.27fr |
100 - 158 | 1.87fr | 2.02fr |
Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V - SPA07N60C3. Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Marquage sur le boîtier: 07N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 16:25.
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