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Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V - SPP04N60C3XKSA1

Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V - SPP04N60C3XKSA1
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Quantité HT TTC
1 - 4 2.43fr 2.63fr
5 - 9 2.31fr 2.50fr
10 - 24 2.24fr 2.42fr
25 - 49 2.19fr 2.37fr
50 - 99 2.14fr 2.31fr
100 - 126 2.07fr 2.24fr
Quantité U.P
1 - 4 2.43fr 2.63fr
5 - 9 2.31fr 2.50fr
10 - 24 2.24fr 2.42fr
25 - 49 2.19fr 2.37fr
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Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V - SPP04N60C3XKSA1. Transistor canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Protection G-S: non. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 00:25.

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