Transistor canal P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V - SPP08P06P

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.21fr	2.39fr
5 - 9	2.10fr	2.27fr
10 - 24	1.99fr	2.15fr
25 - 49	1.88fr	2.03fr
50 - 99	1.84fr	1.99fr
100 - 249	1.79fr	1.93fr
250+	1.70fr	1.84fr

Quantité	U.P
1 - 4	2.21fr	2.39fr
5 - 9	2.10fr	2.27fr
10 - 24	1.99fr	2.15fr
25 - 49	1.88fr	2.03fr
50 - 99	1.84fr	1.99fr
100 - 249	1.79fr	1.93fr
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Transistor canal P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V - SPP08P06P. Transistor canal P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO220-3. Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. Id (T=100°C): 6.2A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Fonction: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.

Documentation technique