Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.84fr | 7.39fr |
2 - 2 | 6.49fr | 7.02fr |
3 - 4 | 6.29fr | 6.80fr |
5 - 9 | 6.15fr | 6.65fr |
10 - 19 | 6.01fr | 6.50fr |
20 - 29 | 5.81fr | 6.28fr |
30 - 36 | 5.60fr | 6.05fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.84fr | 7.39fr |
2 - 2 | 6.49fr | 7.02fr |
3 - 4 | 6.29fr | 6.80fr |
5 - 9 | 6.15fr | 6.65fr |
10 - 19 | 6.01fr | 6.50fr |
20 - 29 | 5.81fr | 6.28fr |
30 - 36 | 5.60fr | 6.05fr |
Transistor canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5. Transistor canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. RoHS: oui. C (in): 3000pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 20N60S5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.