Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.12fr | 6.62fr |
2 - 2 | 5.81fr | 6.28fr |
3 - 4 | 5.51fr | 5.96fr |
5 - 9 | 5.20fr | 5.62fr |
10 - 19 | 5.08fr | 5.49fr |
20 - 29 | 4.96fr | 5.36fr |
30 - 34 | 4.77fr | 5.16fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.12fr | 6.62fr |
2 - 2 | 5.81fr | 6.28fr |
3 - 4 | 5.51fr | 5.96fr |
5 - 9 | 5.20fr | 5.62fr |
10 - 19 | 5.08fr | 5.49fr |
20 - 29 | 4.96fr | 5.36fr |
30 - 34 | 4.77fr | 5.16fr |
Transistor STP20NM60FP. Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.