Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.16fr | 1.25fr |
5 - 9 | 1.10fr | 1.19fr |
10 - 24 | 1.04fr | 1.12fr |
25 - 49 | 0.98fr | 1.06fr |
50 - 99 | 0.96fr | 1.04fr |
100 - 152 | 0.86fr | 0.93fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.16fr | 1.25fr |
5 - 9 | 1.10fr | 1.19fr |
10 - 24 | 1.04fr | 1.12fr |
25 - 49 | 0.98fr | 1.06fr |
50 - 99 | 0.96fr | 1.04fr |
100 - 152 | 0.86fr | 0.93fr |
Transistor STP55NF06. Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NF06. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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