Transistor canal N, TO-220, TO-220, 600V, 600V, TO220 - STP6NK60Z

Transistor canal N, TO-220, TO-220, 600V, 600V, TO220 - STP6NK60Z. Transistor canal N, TO-220, TO-220, 600V, 600V, TO220. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Vdss (tension drain à source): 600V. Boîtier: TO220. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Série: SuperMESH. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohms / 2.8A / 10V. Vgs(th) (Max) @ Id: MOSFET. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Température de fonctionnement: 6A. Type de montage: THT. Particularités: P6NK60Z. Information: 104W. MSL: 1 Ohm. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 14:25.