Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.86fr | 2.01fr |
5 - 9 | 1.77fr | 1.91fr |
10 - 24 | 1.72fr | 1.86fr |
25 - 49 | 1.68fr | 1.82fr |
50 - 99 | 1.64fr | 1.77fr |
100 - 102 | 1.47fr | 1.59fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.86fr | 2.01fr |
5 - 9 | 1.77fr | 1.91fr |
10 - 24 | 1.72fr | 1.86fr |
25 - 49 | 1.68fr | 1.82fr |
50 - 99 | 1.64fr | 1.77fr |
100 - 102 | 1.47fr | 1.59fr |
Transistor canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V - TK6A65D. Transistor canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1050pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 08:25.
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