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Transistor 2N3771

Transistor 2N3771
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Transistor 2N3771. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.2 MHz. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 13:25.

Documentation technique

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