Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.74fr | 0.80fr |
25 - 49 | 0.73fr | 0.79fr |
50 - 99 | 0.71fr | 0.77fr |
100 - 138 | 0.65fr | 0.70fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.81fr | 0.88fr |
5 - 9 | 0.77fr | 0.83fr |
10 - 24 | 0.74fr | 0.80fr |
25 - 49 | 0.73fr | 0.79fr |
50 - 99 | 0.71fr | 0.77fr |
100 - 138 | 0.65fr | 0.70fr |
Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882. Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Inchange Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 19:25.
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