Quantité | HT | TTC |
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1 - 4 | 4.75fr | 5.13fr |
Quantité | U.P | |
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1 - 4 | 4.75fr | 5.13fr |
Transistor 2SC2275. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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