Transistor 2SC2632
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.61fr | 0.66fr |
| 5 - 9 | 0.58fr | 0.63fr |
| 10 - 24 | 0.55fr | 0.59fr |
| 25 - 49 | 0.52fr | 0.56fr |
| 50 - 99 | 0.51fr | 0.55fr |
| 100 - 249 | 0.49fr | 0.53fr |
| 250+ | 0.47fr | 0.51fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.61fr | 0.66fr |
| 5 - 9 | 0.58fr | 0.63fr |
| 10 - 24 | 0.55fr | 0.59fr |
| 25 - 49 | 0.52fr | 0.56fr |
| 50 - 99 | 0.51fr | 0.55fr |
| 100 - 249 | 0.49fr | 0.53fr |
| 250+ | 0.47fr | 0.51fr |
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Transistor 2SC2632. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapid...
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.14A. Ic(puls): 0.2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.14A. Ic(puls): 0.2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non
2SC2910
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circui...
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC2910. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): 70mA. Plage de température de fonctionnement max (°C): 140mA. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208
Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC2910. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): 70mA. Plage de température de fonctionnement max (°C): 140mA. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208
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Transistor. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 ...
Transistor. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.05A. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
Transistor. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.05A. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
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