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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SC2910

Transistor 2SC2910
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Quantité HT TTC
1 - 4 2.47fr 2.67fr
5 - 9 2.35fr 2.54fr
10 - 24 2.22fr 2.40fr
25 - 49 2.10fr 2.27fr
50 - 99 2.05fr 2.22fr
100 - 249 2.00fr 2.16fr
250+ 1.90fr 2.05fr
Quantité U.P
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Lot de 1

Transistor 2SC2910. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC2910. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): 70mA. Plage de température de fonctionnement max (°C): 140mA. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.

Documentation technique

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Transistor. C (out): 1.7pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: C3467. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SC-51 ( MP ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hauteur 9mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Fonction: Video, Hi-def. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. C (out): 1.7pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: C3467. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SC-51 ( MP ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hauteur 9mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Fonction: Video, Hi-def. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
2.15fr TTC
(1.99fr HT)
2.15fr
Quantité en stock : 20802
BF421

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Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteu...
BF421
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 830mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF420. Diode CE: oui
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Lot de 10
1.10fr TTC
(1.02fr HT)
1.10fr
Quantité en stock : 96
2SC2705

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Transistor. C (out): 1.8pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20...
2SC2705
Transistor. C (out): 1.8pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: C2705. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Remarque: 9mm. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Diode BE: non. Diode CE: non
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