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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SK3563

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Transistor 2SK3563. Transistor. C (in): 550pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 5A. Marquage sur le boîtier: K3563. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 17:25.

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Transistor. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 6A. Marquage sur le boîtier: K3562. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui
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