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Transistor BC859C

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Transistor BC859C. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G/4C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 07:25.

Documentation technique

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