Transistor BUL45GD2G

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.04fr	2.21fr
5 - 9	1.94fr	2.10fr
10 - 24	1.83fr	1.98fr
25 - 49	1.73fr	1.87fr
50 - 51	1.59fr	1.72fr

Quantité	U.P
1 - 4	2.04fr	2.21fr
5 - 9	1.94fr	2.10fr
10 - 24	1.83fr	1.98fr
25 - 49	1.73fr	1.87fr
50 - 51	1.59fr	1.72fr

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Lot de 1

Transistor BUL45GD2G. Transistor. C (out): 50pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN bipolaire à gain élevé et à grande vitesse. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 22. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220AB CASE 221A-09. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.28V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 12V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 20:25.

Documentation technique