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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529

Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529
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Quantité HT TTC
1 - 1 8.98fr 9.71fr
2 - 2 8.54fr 9.23fr
3 - 4 8.09fr 8.75fr
5 - 9 7.64fr 8.26fr
10 - 19 7.46fr 8.06fr
20 - 29 7.28fr 7.87fr
30 - 56 7.01fr 7.58fr
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Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529. Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 180V. C (in): 700pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Marquage sur le boîtier: K1529. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SJ200. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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ECX10N20

ECX10N20

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: T...
ECX10N20
Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
ECX10N20
Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
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