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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V - 2SK3176

Transistor canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V - 2SK3176
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2 - 2 6.33fr 6.84fr
3 - 4 6.13fr 6.63fr
5 - 9 6.00fr 6.49fr
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20 - 29 5.67fr 6.13fr
30 - 42 5.47fr 5.91fr
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Transistor canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V - 2SK3176. Transistor canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 200V. C (in): 5400pF. C (out): 1900pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: régulateur à découpage, convertisseur DC-DC, pilote de moteur. Protection G-S: oui. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 190 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS-V. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 22:25.

Documentation technique

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