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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V
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Quantité HT TTC
1 - 1 26.31fr 28.44fr
2 - 2 24.99fr 27.01fr
3 - 4 24.46fr 26.44fr
5 - 9 23.94fr 25.88fr
10 - 14 23.67fr 25.59fr
15 - 19 23.15fr 25.03fr
20+ 22.36fr 24.17fr
Quantité U.P
1 - 1 26.31fr 28.44fr
2 - 2 24.99fr 27.01fr
3 - 4 24.46fr 26.44fr
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Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V. Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUDIO POWER MOSFET. Protection G-S: non. Idss (min): 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ALF08P20V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Tension grille/source Vgs: 14V. Produit d'origine constructeur Semelab. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 00:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 134
ECX10N20

ECX10N20

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: T...
ECX10N20
Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V
ECX10N20
Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V
Lot de 1
10.13fr TTC
(9.37fr HT)
10.13fr

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