Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.81fr | 3.04fr |
5 - 9 | 2.67fr | 2.89fr |
10 - 24 | 2.53fr | 2.73fr |
25 - 49 | 2.39fr | 2.58fr |
50 - 96 | 2.34fr | 2.53fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.81fr | 3.04fr |
5 - 9 | 2.67fr | 2.89fr |
10 - 24 | 2.53fr | 2.73fr |
25 - 49 | 2.39fr | 2.58fr |
50 - 96 | 2.34fr | 2.53fr |
Transistor canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms - AO3407A. Transistor canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 09:25.
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