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Transistor canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms - AO3407A

Transistor canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms - AO3407A
Quantité HT TTC
1 - 4 2.81fr 3.04fr
5 - 9 2.67fr 2.89fr
10 - 24 2.53fr 2.73fr
25 - 49 2.39fr 2.58fr
50 - 96 2.34fr 2.53fr
Quantité U.P
1 - 4 2.81fr 3.04fr
5 - 9 2.67fr 2.89fr
10 - 24 2.53fr 2.73fr
25 - 49 2.39fr 2.58fr
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Transistor canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms - AO3407A. Transistor canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 20V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 09:25.

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