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Transistor canal N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v - AON6512

Transistor canal N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v - AON6512
Quantité HT TTC
1 - 4 1.14fr 1.23fr
5 - 9 1.08fr 1.17fr
10 - 24 1.02fr 1.10fr
25 - 49 0.97fr 1.05fr
Quantité U.P
1 - 4 1.14fr 1.23fr
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10 - 24 1.02fr 1.10fr
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Transistor canal N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v - AON6512. Transistor canal N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 1.9m Ohms. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3430pF. C (out): 1327pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Latest Trench Power AlphaMOS technology'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 09:25.

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