Transistor canal N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V - APT5010JVR

Quantité	HT	TTC
1 - 1	30.21fr	32.66fr
2 - 2	28.70fr	31.02fr
3 - 4	27.19fr	29.39fr
5 - 9	25.68fr	27.76fr
10 - 14	25.07fr	27.10fr
15 - 15	24.47fr	26.45fr

Quantité	U.P
1 - 1	30.21fr	32.66fr
2 - 2	28.70fr	31.02fr
3 - 4	27.19fr	29.39fr
5 - 9	25.68fr	27.76fr
10 - 14	25.07fr	27.10fr
15 - 15	24.47fr	26.45fr

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Transistor canal N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V - APT5010JVR. Transistor canal N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 7400pF. C (out): 1000pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 176A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 450W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 12:25.

Documentation technique