Transistor canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BF545C

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.51fr	0.55fr
10 - 24	0.49fr	0.53fr
25 - 49	0.46fr	0.50fr
50 - 99	0.44fr	0.48fr
100 - 249	0.43fr	0.46fr
250 - 499	0.42fr	0.45fr
500 - 1482	0.40fr	0.43fr

Quantité	U.P
1 - 9	0.51fr	0.55fr
10 - 24	0.49fr	0.53fr
25 - 49	0.46fr	0.50fr
50 - 99	0.44fr	0.48fr
100 - 249	0.43fr	0.46fr
250 - 499	0.42fr	0.45fr
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Transistor canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BF545C. Transistor canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 22*. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 11:25.

Documentation technique