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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 100V, SOT23 - BSS123

Transistor canal N, 100V, SOT23 - BSS123
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Quantité (Lot de 10) HT TTC
1 - 1 1.23fr 1.33fr
2 - 2 1.17fr 1.26fr
3 - 4 1.11fr 1.20fr
5 - 9 1.08fr 1.17fr
10 - 24 1.01fr 1.09fr
25 - 49 0.97fr 1.05fr
50 - 2849 0.82fr 0.89fr
Quantité (Lot de 10) U.P
1 - 1 1.23fr 1.33fr
2 - 2 1.17fr 1.26fr
3 - 4 1.11fr 1.20fr
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Lot de 10

Transistor canal N, 100V, SOT23 - BSS123. Transistor canal N, 100V, SOT23. Vdss (tension drain à source): 100V. Boîtier: SOT23. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 150mA. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Température de fonctionnement: 150°C. Type de montage: SMD. MSL: 1. Produit d'origine constructeur Nexperia. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 2964
BSS123-ONS

BSS123-ONS

Transistor canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°...
BSS123-ONS
Transistor canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Protection G-S: non. Id(imp): 680mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V
BSS123-ONS
Transistor canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Protection G-S: non. Id(imp): 680mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V
Lot de 10
1.38fr TTC
(1.28fr HT)
1.38fr

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