Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 25.33fr | 27.38fr |
2 - 2 | 24.06fr | 26.01fr |
3 - 4 | 22.79fr | 24.64fr |
5 - 9 | 21.53fr | 23.27fr |
10 - 14 | 21.02fr | 22.72fr |
15 - 19 | 20.51fr | 22.17fr |
20 - 882 | 19.75fr | 21.35fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 25.33fr | 27.38fr |
2 - 2 | 24.06fr | 26.01fr |
3 - 4 | 22.79fr | 24.64fr |
5 - 9 | 21.53fr | 23.27fr |
10 - 14 | 21.02fr | 22.72fr |
15 - 19 | 20.51fr | 22.17fr |
20 - 882 | 19.75fr | 21.35fr |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/5, TO-263, 42V, 11A - BTS432E2E3062A. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/5, TO-263, 42V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS432E2-SMD. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 16:25.
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