Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A - BTS436L2GATMA1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A - BTS436L2GATMA1. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200us. Délai de coupure tf[nsec.]: 250us. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 10:25.