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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A

Transistor canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A
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1 - 4 1.96fr 2.12fr
5 - 9 1.86fr 2.01fr
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Transistor canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A. Transistor canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 16:25.

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BUZ91A-INF

BUZ91A-INF

Transistor canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss ...
BUZ91A-INF
Transistor canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Technologie: V-MOS
BUZ91A-INF
Transistor canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Technologie: V-MOS
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