Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.47fr | 3.75fr |
5 - 9 | 3.30fr | 3.57fr |
10 - 21 | 3.13fr | 3.38fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.47fr | 3.75fr |
5 - 9 | 3.30fr | 3.57fr |
10 - 21 | 3.13fr | 3.38fr |
Transistor canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V - FQA70N10. Transistor canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Id (T=100°C): 49.5A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2500pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible charge de grille (85nC typique). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 23:25.
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