Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.76fr | 6.23fr |
2 - 2 | 5.47fr | 5.91fr |
3 - 4 | 5.18fr | 5.60fr |
5 - 9 | 4.89fr | 5.29fr |
10 - 15 | 4.78fr | 5.17fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.76fr | 6.23fr |
2 - 2 | 5.47fr | 5.91fr |
3 - 4 | 5.18fr | 5.60fr |
5 - 9 | 4.89fr | 5.29fr |
10 - 15 | 4.78fr | 5.17fr |
Transistor canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50C. Transistor canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 195W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Spec info: Faible charge de grille (43nC typique). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 00:25.
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