Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.30fr | 2.49fr |
5 - 9 | 2.18fr | 2.36fr |
10 - 24 | 2.07fr | 2.24fr |
25 - 45 | 1.95fr | 2.11fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.30fr | 2.49fr |
5 - 9 | 2.18fr | 2.36fr |
10 - 24 | 2.07fr | 2.24fr |
25 - 45 | 1.95fr | 2.11fr |
Transistor canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP33N10. Transistor canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1150pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 127W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 00:25.
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