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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1

Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1
Quantité HT TTC
1 - 1 258.08fr 278.98fr
2 - 2 245.17fr 265.03fr
3 - 4 240.01fr 259.45fr
5 - 9 234.85fr 253.87fr
10 - 14 232.27fr 251.08fr
15 - 19 229.69fr 248.29fr
20+ 227.11fr 245.51fr
Quantité U.P
1 - 1 258.08fr 278.98fr
2 - 2 245.17fr 265.03fr
3 - 4 240.01fr 259.45fr
5 - 9 234.85fr 253.87fr
10 - 14 232.27fr 251.08fr
15 - 19 229.69fr 248.29fr
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Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1. Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 5300pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Nombre de connexions: 35. Dimensions: 122x62x17.5mm. Dissipation de puissance maxi: 355W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Produit d'origine constructeur Eupec/infineon. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 05:25.

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