Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.71fr | 6.17fr |
2 - 2 | 5.42fr | 5.86fr |
3 - 4 | 5.14fr | 5.56fr |
5 - 9 | 6.38fr | 6.90fr |
10 - 19 | 7.36fr | 7.96fr |
20 - 29 | 7.73fr | 8.36fr |
30 - 170 | 7.62fr | 8.24fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.71fr | 6.17fr |
2 - 2 | 5.42fr | 5.86fr |
3 - 4 | 5.14fr | 5.56fr |
5 - 9 | 6.38fr | 6.90fr |
10 - 19 | 7.36fr | 7.96fr |
20 - 29 | 7.73fr | 8.36fr |
30 - 170 | 7.62fr | 8.24fr |
Transistor canal N, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG12N60A4D. Transistor canal N, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 23A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Date de production: 2014/17. Courant de collecteur: 54A. Ic(puls): 96A. Marquage sur le boîtier: 12N60A4D. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.6V. Nombre de connexions: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 03:25.
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