Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.97fr | 7.53fr |
2 - 2 | 6.62fr | 7.16fr |
3 - 4 | 6.41fr | 6.93fr |
5 - 9 | 6.27fr | 6.78fr |
10 - 19 | 6.13fr | 6.63fr |
20 - 29 | 5.92fr | 6.40fr |
30 - 41 | 5.71fr | 6.17fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.97fr | 7.53fr |
2 - 2 | 6.62fr | 7.16fr |
3 - 4 | 6.41fr | 6.93fr |
5 - 9 | 6.27fr | 6.78fr |
10 - 19 | 6.13fr | 6.63fr |
20 - 29 | 5.92fr | 6.40fr |
30 - 41 | 5.71fr | 6.17fr |
Transistor canal N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V - IHW30N135R5XKSA1. Transistor canal N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. C (in): 1810pF. C (out): 50pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: cuisson par induction, fours à micro-ondes. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: H30PR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 310 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 14:25.
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